เซ็นเซอร์ช่วงการกระจัดเลเซอร์ขนาดเล็กประเภท CMOS

การวัด

กึ่งกลาง 30 มม.

การวัด

กึ่งกลาง 50 มม.

การวัด

กึ่งกลาง 100 มม.

การวัด

กึ่งกลางประเภท 200 มม.

การวัด

กึ่งกลาง 400 มม.

300μm (ระยะการวัด 200 ถึง 400 มม.)

800μm (ระยะการวัด 400 ถึง 600 มม.)

± 0.3%F.S (ระยะการวัด 200 ถึง 400 มม.)

± 0.4%F.S (ระยะการวัด 400 ถึง 600 มม.)

เลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์สีแดงคลาส 2 [JIS / IEC / GB / FDA (หมายเหตุ 2)]

สูงสุด เอาท์พุท: 1MW, ความยาวคลื่นสูงสุด: 655Nm

NPN Open-Collector Transistor

      •กระแสสูงสุดของอ่างล้างจาน: 50ma

      •แรงดันไฟฟ้าที่ใช้: 30V DC หรือน้อยกว่า

                      (ระหว่างเอาต์พุตควบคุมถึง 0v)

      •แรงดันตกค้าง: 1.5V หรือน้อยกว่า

                                  (ที่กระแสซิงก์ 50mA)

      •กระแสรั่วไหล: 0.1 mA หรือน้อยกว่า

  ทรานซิสเตอร์ Open Collector PNP

  •กระแสสูงสุดของกระแสไฟฟ้า: 50ma

  •แรงดันไฟฟ้าที่ใช้: 30V DC หรือน้อยกว่า

              (ระหว่างเอาต์พุตควบคุมถึง +V)

  •แรงดันตกค้าง: 1.5V หรือน้อยกว่า

                       (ที่แหล่งกำเนิด 50ma ปัจจุบัน)

   •กระแสรั่วไหล: 0.1 mA หรือน้อยกว่า

•ช่วงเอาท์พุท: 0 ถึง +5V (ที่เตือน: +5.2V)

•ความต้านทานเอาท์พุท: 100Ω

•ช่วงเอาท์พุท: 4 ถึง 20ma (ที่สัญญาณเตือน: 0ma)

•โหลดอิมพีแดนซ์: 300Ωหรือน้อยกว่า

 อินพุต npn non-contact

   •เงื่อนไขการป้อนข้อมูล

     ไม่ถูกต้อง: +8 ถึง +V DC หรือเปิด

     ถูกต้อง: 0 ถึง +1.2V DC

   •ความต้านทานอินพุต: ประมาณ 10kΩ

  อินพุตที่ไม่ติดต่อ PNP

    •เงื่อนไขการป้อนข้อมูล

     ไม่ถูกต้อง: 0 ถึง +0.6V DC หรือเปิด

     ถูกต้อง: +4 ถึง +V DC

    •ความต้านทานอินพุต: ประมาณ 10kΩ